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IRF7521D1
Power Mosfet Characteristics
500
400
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs +C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C d s + C gd
10
8
I D = 1 .7A
V D S = 16 V
C iss
300
200
100
C oss
C rss
6
4
2
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
6
S E E FIG U R E 9
8
10
A
100
10
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μs
T J = 1 50 °C
1m s
1
T J = 25 °C
1
10m s
V G S = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
0.1
T A = 25 °C
T J = 15 0°C
S ing le P u lse
0.1
1
10
100
A
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
Forward Voltage
www.irf.com
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